Samsung разработала модуль оперативной памяти 8 Гб на базе чипов памяти TSV

Компания Samsung Electronics заявила, что она разработала 8GB модуль памяти RDIMM (registered dual inline memory module), которая основывается на DDR3 DRAM. Новый модуль памяти, который был успешно испытан некоторыми пользователями Samsung, обеспечивает высокую производительность, в частности из-за использования трехмерной (3D) установки чипов, по технологии называемой through silicon via (TSV).

При использовании в модуле памяти 8 Гб RDIMM 3D технологии TSV – экономится до 40% мощности, потребляемой обычными RDIMM. Кроме того, технология TSV позволяет значительно улучшить плотность чипов в памяти, которая, как ожидается, компенсирует уменьшение количества слотов памяти в новых поколениях серверных систем.

Технология TSV является ключом к решению задач: снижение расхода электроэнергии на серверах, но в тоже время с увеличением объема памяти и повышения производительности.

TSV

С помощью технологии TSV создается отверстие в кремне микронного диаметра, с медным заполнением.

Испытания нового 8 Гб модуля памяти почти завершены и Samsung готовит свою TSV-технологий для различных серверных приложений, которые устанавливают жесткие эксплуатационные требования.

Более широкое применение 3D-технологии TSV, как ожидается, состоится в 2012 году. Samsung планирует увеличить производительность и уменьшить потребление энергии по  технологии TSV на техпроцессе 30нм.

samsung