Память DDR4

Оперативная память следующего поколения, DDR4 SDRAM (рис. 1), как ожидается, сможет привнести в будущие серверные, настольные и мобильные платформы значительное увеличение производительности. Однако достижение новых рубежей быстродействия потребует радикальных изменений в топологии подсистемы памяти. Эффективная частота модулей DDR4 SDRAM составит от 2133 до 4266 МГц, что несколько выше предыдущих прогнозов (по всей видимости, частоты до 2133 МГц смогут быть покрыты модулями DDR3 SDRAM). Перспективные модули памяти окажутся не только быстрее, но и экономичнее своих предшественников.

 

ddr4Рис. 1

Они будут использовать пониженное до 1,1-1,2 В напряжение питания, а для энергоэффективной памяти штатным станет напряжение 1,05 В. Ожидается, что производителям чипов DRAM при изготовлении микросхем DDR4 SDRAM придётся прибегать к использованию самых передовых производственных технологий. Так. первые чипы DDR4 SDRAM могут быть выпущены по 32-нм или 36-нм техпроцессу.
JEDEC ожидает, что окончательные спецификации на DDR4 SDRAM будут готовы в течение 2011 года, а серийное производство новой памяти начнётся в 2012 году. Фактический же массовый переход на использование DDR4 SDRAM прогнозируется на 2015 год. При этом необходимо иметь в виду, что экстремально высокие скорости работы памяти нового поколения потребуют внесения изменений в привычную структуру всей подсистемы памяти. Дело в том, что контроллеры DDR4 SDRAM смогут справиться лишь с единственным модулем в каждом канале. Это значит, что на смену параллельному соединению модулей памяти в каждом канале придёт чётко выраженная топология точка-точка (каждая установленная планка DDR4 будет задействовать разные каналы). Чтобы гарантировать высокие частоты спецификация DDR4 поддерживает только один модуль на каждый контроллер памяти. Это означает, что производителям потребуется увеличить плотность чипов памяти и создать более продвинутые модули. В то же время тайминги будут расти, хотя время доступа продолжит снижаться.
Это ограничение не самым лучшим образом может отразиться на тех применениях. где требуется поддержка больших объёмов памяти. Поэтому, либо производителям чипов придётся осваивать выпуск DDR4 микросхем повышенного объёма, что, видимо, потребует внедрения технологии сквозных кремниевых межсоединений (TSV), которая считается одним из самых перспективных способов уплотнения чипов. Либо, материнские платы начнут снабжаться специальными свитчами, позволяющими растиражировать» один канал на несколько оконечных устройств.
В настоящее время на рынке памяти наступила завершающая фаза перехода на DDR3 SDRAM, который, как нетрудно заметить, занял далеко не один год. Очевидно, что следующая смена поколений оперативной памяти станет ещё более растянутой по времени, потому что она потребует куда более существенных усилий от всех участников процесса — производителей систем, материнских плат, процессоров, модулей памяти, системных интеграторов и конечных пользователей.

Оставьте комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *