Кроме того, растущая ёмкость модулей, и здесь DDR3 вновь не готова сдавать позиции Появление низковольтных чипов DDR3 емкостью 4 Гбит и 8 Гбит позволяет наладить выпуск очень ёмких модулей памяти с низким энергопотреблением, что также делает появление DDR4 в ближайшее время неактуальным. В своё время, при переходе от памяти DDR2 к DDR3 разработчиками нового по тем временам стандарта был сделан революционный шаг. Типичная для DDR2 топология подключения шины памяти «звёздочкой» была заменена на сетевую (Flv-by) топологию командной, адресной и управляющей шин, с внутримодульной (On-DIMM) терминацией и прецизионными внешними резисторами (ZQ resistors) в цепях калибровки (рис. 3).
Рис. 3
Однако шине с многоточечной топологией линий передач данных всё же приходит конец (как он давным-давно пришёл для графической памяти GDDR). Не те нынче скорости, не те потребности в объёмах передаваемых данных. Применительно к стандарту DDR4 это означает, что место многоточечной топологии займут соединения типа «точка-точка» (рис. 4) , иначе не добиться значительного прироста производительности.
Рис. 4
Из этого следует, что подсистема памяти DDR4 позволит поддерживать только один единственный модуль памяти на каждый канал. Вряд ли это окажет существенное воздействие на рынок мобильных и настольных ПК, хотя увеличение объёмов оперативной памяти не помешает никому, однако наиболее ясным этот вопрос будет для серверного рынка. Как же наращивать количество памяти в условиях таких жёстких канальных ограничений? Выходов из ситуации на сегодняшний день придумано несколько.
Первый — самый логичный: необходимо наращивать ёмкость собственно чипов и модулей памяти. Один из перспективных способов — изготовление многоярусных чипов по технологии TSV (Through-Silicon Via), которую также называют «объёмной», или просто 3D. С многослойными (MLP) чипами флэш-памяти технология TSV имеет лишь отдалённое сходство, однако понять суть формирования чипа в самых общих чертах такая аналогия помогает (рис. 5). Идея, кстати, отнюдь не нова, так как ещё в 2007 году компания Samsung Electronics объявила о выпуске первых многоярусных 512-Мбит чипов DRAM по технологии TSV.
Рис. 5